公开(公告)号：CN118960631A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410505730.0

申请日：2024-04-25

申请人： 三星SDI株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 禹成浩 ,  金大植 ,  李圣国 ,  金志映 ,  李宝兰 ,  李贤煜 ,  朴昶贤 ,  郑旭玹

IPC分类号： G01B15/06 ,  H01M10/48 ,  G06T7/00 ,  G06T7/62

摘要： 公开了用于二次电池的变形分析装置及其方法。具体地，公开了一种用于二次电池的变形分析装置和非破坏性分析方法，可以通过该变形分析装置和非破坏性方法使用计算机断层摄影(CT)图像来诊断二次电池的电极变形，该方法包括以下步骤：通过对二次电池执行计算机断层摄影(CT)成像来获得图像，使用来自图像的亮度差生成强度图，从强度图测量芯峰值FWHM(半峰全宽)或芯直径变化值，以及如果测量的芯峰值FWHM大于峰值参考值或芯直径变化值大于直径参考值，则确定电极组件变形。

公开(公告)号：CN118960632A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410536674.7

申请日：2024-04-30

申请人： 三星SDI株式会社 ,  蔚山科学技术院

发明人： 禹成浩 ,  金大植 ,  李圣国 ,  金志映 ,  李宝兰 ,  李贤煜 ,  朴昶贤 ,  郑旭玹

IPC分类号： G01B15/06 ,  G01R31/385

摘要： 一种用于二次电池的变形分析装置和变形分析方法能够使用计算机断层扫描(CT)图像以非破坏性的方式准确地诊断二次电池的电极变形。用于二次电池的变形分析方法包括：对二次电池的第一区域和第二区域中的每个进行计算机断层(CT)扫描，以获取对应于第一区域的第一图像和对应于第二区域的第二图像；测量第一图像中的从电极组件的电极的卷绕前端到卷绕远端的第一角度，以及测量第二图像中的从电极组件的电极的卷绕前端到卷绕远端的第二角度；并且如果第一角度和第二角度之间的差值大于第一参考值，则确定电极组件变形。