公开(公告)号：CN1725440A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510063824.4

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 雷米什·卡卡德

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G02F1/135 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造此器件的方法。所述方法包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H2O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶所述非晶硅；通过对部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在栅极绝缘层上形成栅极电极，以使当非晶硅通过SPC工艺结晶时，防止由高温结晶引起的衬底弯曲，由此减少薄膜晶体管的缺陷。

公开(公告)号：CN100419952C

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200510063824.4

申请日：2005-04-08

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 雷米什·卡卡德

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  G02F1/135 ,  G09G3/36 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L21/84 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件和制造此器件的方法。所述方法包括：在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；通过对所述硅层在H2O的气氛和预定的温度下使用退火工艺，部分结晶所述非晶硅；通过对部分结晶的非晶硅层使用激光退火工艺，形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；和在栅极绝缘层上形成栅极电极，以使当非晶硅通过SPC工艺结晶时，防止由高温结晶引起的衬底弯曲，由此减少薄膜晶体管的缺陷。

公开(公告)号：CN1722385A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510064063.4

申请日：2005-04-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 雷米什·卡卡德 ,  金容奭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02667 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/2022 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765

Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括：在衬底上淀积包含非晶硅的硅层；通过用杂质离子掺杂所述硅层来界定源极区和漏极区；通过在预定温度下、H2O气氛中的退火工艺晶化所述非晶硅，同时激活所述杂质离子以形成半导体层；在具有所述半导体层的所述衬底的整个表面上方形成栅极绝缘层；以及在所述栅极绝缘层上对应于所述半导体层的沟道区形成栅电极。在该方法中，通过晶化多晶硅并同时激活杂质离子来简化退火工艺，由此防止衬底由于退火工艺期间的高温而变形。

公开(公告)号：CN1716552A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510064064.9

申请日：2005-04-06

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 雷米什·卡卡德 ,  金容奭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L21/324 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L29/66757

Abstract: 公开了一种半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。所述方法包括：使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法和低压化学气相沉积(LPCVD)法中的任何一种方法在衬底上沉积包含非晶硅的硅层；在预定温度下、H2O气氛中退火所述硅层，以形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；在所述多晶硅层中形成杂质区以界定所述源极区和漏极区；以及激活所述杂质区。因此，可以提供一种半导体器件，其中防止了衬底弯曲并且构成半导体层的多晶硅极佳。