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公开(公告)号:CN1881644A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200610092596.8
申请日:2006-06-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3244 , H01L51/0055
Abstract: 本发明提供一种施主衬底及利用该施主衬底形成有机半导体层图案的方法。在该方法中,利用具有可热分解取代基的有机半导体前体,通过湿法形成施主衬底。施主衬底中的有机半导体前体衬底以图案的方式转移至受主衬底并加热,由此转变成有机半导体。从而,得到有机半导体层图案。该方法可用于制备各种器件,如OLED和OTFT。通过湿法而不是通过沉积,可以形成低分子量的有机半导体层图案。因而,利用该方法可以低成本方便地制备平板显示器件。
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公开(公告)号:CN1881642A
公开(公告)日:2006-12-20
申请号:CN200610073281.9
申请日:2006-04-07
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L51/00
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/0055 , Y10S977/788
Abstract: 本发明提供一种构图纳米导电薄膜的方法。更具体地,提供一种构图纳米导电颗粒的方法,该方法包括采用具有低分子量的有机半导体作为粘合剂制备其中分散有纳米导电颗粒的施主基底,及利用该施主基底在受主基底上构图纳米导电颗粒。该方法可以用于制备包括显示器件如OLED和OTFT等各种器件的图案。即使不经过沉积,这种器件也可以通过制备包含湿基纳米导电颗粒和有机半导体的器件而简单和经济地制备。
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