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公开(公告)号:CN102097595A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010517090.3
申请日:2010-10-15
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: H01L51/5256
Abstract: 本发明公开了一种有机发光设备及制造该有机发光设备的方法。该有机发光设备包括:基底;阻挡层,布置在基底上;有机发光器件,包括顺序地布置在阻挡层上的第一电极、有机发光层和第二电极;包封层,覆盖有机发光器件,其中,阻挡层和包封层中的至少一层为包括顺序地堆叠的第一无机层、第一有机层和第二无机层的复合层布置,第一有机层为通过包括如下步骤的工艺制备的聚酰亚胺层:通过从由热蒸发技术、等离子体增强化学气相沉积技术和原子层沉积技术组成的组中选择的一种技术来沉积单体;然后加热单体。根据该有机发光设备及制造有机发光设备的方法,即使在高温下也保持了阻挡层的特性并减小了基底的应力,从而提高了有机发光设备的制造稳定性。
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公开(公告)号:CN102064197A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010287308.0
申请日:2010-09-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括:基板;缓冲层,位于所述基板上;半导体层,包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区;栅绝缘层,对应于所述沟道区;栅极,对应于所述沟道区;和源/漏极,与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界,且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
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