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公开(公告)号：CN113676203A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202011145596.6
申请日：2020-10-23
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供一种射频开关电路和通信终端，所述射频开关电路包括：第一开关电路，连接在连接到天线端口的公共电容器和连接到第一端口的第一电容器之间，并且利用通过第一栅极端子传输的第一栅极电压来执行开关操作；电压产生电路，向设置在所述第一开关电路的第一端处的公共节点提供漏极‑源极电压；以及电压检测电路，从所述公共节点接收节点电压，将所述节点电压与参考电压进行比较，并且产生包括关于所述公共电容器或所述第一电容器的损坏信息的检测电压。
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公开(公告)号：CN110708020A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910297772.9
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 金钟明
IPC: H03F1/22
Abstract: 本发明提供一种具有共源共栅结构的放大装置，所述放大装置包括：放大电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此共源共栅连接并且接收操作电压以放大输入信号；第一偏置电路，产生第一偏置电压并将所述第一偏置电压供应给所述第一晶体管；以及第二偏置电路，基于控制电压和所述操作电压产生第二偏置电压，并将所述第二偏置电压供应给所述第二晶体管。
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公开(公告)号：CN104639134A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410209728.5
申请日：2014-05-16
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/687 , H03K17/60
Abstract: 一种RF开关，包括：耦接至天线以便发射和接收第一和第二高频信号的公共端口；耦接在传输第一高频信号的发射端口和公共端口之间并且包括彼此串联耦接的多个开关器件的发射开关单元；和耦接在传输第二高频信号的接收端口和公共端口之间并且包括包含第一开关器件的第一开关单元的接收开关单元。第一开关单元可以进一步包括具有耦接至第一开关器件的第一端子的第一端子和耦接至第一开关器件的控制端子的第二端子的第二开关器件。
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公开(公告)号：CN110708020B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910297772.9
申请日：2019-04-15
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 金钟明
IPC: H03F1/22
Abstract: 本发明提供一种具有共源共栅结构的放大装置，所述放大装置包括：放大电路，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管彼此共源共栅连接并且接收操作电压以放大输入信号；第一偏置电路，产生第一偏置电压并将所述第一偏置电压供应给所述第一晶体管；以及第二偏置电路，基于控制电压和所述操作电压产生第二偏置电压，并将所述第二偏置电压供应给所述第二晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113708727A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202011132068.7
申请日：2020-10-21
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本公开提供了一种放大电路、放大装置及通信终端。所述放大电路包括偏置电路、电阻电路、启动电路以及放大器，所述偏置电路从电源电路接收操作电压并产生第一偏置电压，所述电阻电路连接在所述偏置电路与栅极节点之间并将所述第一偏置电压传输到所述栅极节点，所述启动电路基于控制信号产生高电平的启动电压并在提供所述操作电压之前将所述启动电压提供到所述栅极节点，所述放大器通过接收所述启动电压而被启动，并且随后接收所述操作电压和所述第一偏置电压以放大通过所述栅极节点输入的高频信号。
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公开(公告)号：CN111313842B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910879516.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种偏置电路以及放大器，所述偏置电路包括：偏置电流电路，根据基于输入的射频信号的幅值确定的模式电压来改变电阻值，并且产生根据所述电阻值的所述改变而控制的偏置电流；偏置电压电路，产生根据电源电压的变化而调整的偏置电压，并且将所述偏置电压供应给放大电路；以及偏置传输电路，将所述偏置电流供应给所述放大电路的基极节点，并且阻挡来自所述基极节点的所述射频信号的输入。
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公开(公告)号：CN110858591A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910547268.X
申请日：2019-06-24
Applicant: 三星电机株式会社
Inventor： 金钟明
IPC: H01L27/092
Abstract: 本发明提供一种互补金属氧化物半导体器件，所述互补金属氧化物半导体(CMOS)器件包括：高电阻率基板；第一CMOS结构，设置在所述高电阻率基板的第一区域中；以及第二CMOS结构，与所述第一CMOS结构的半导体类型相同，并且设置在所述高电阻率基板的与所述第一区域分开的第二区域中。所述高电阻率基板设置在所述第一CMOS结构和所述第二CMOS结构之间，以将所述第一CMOS结构与所述第二CMOS结构分开。
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公开(公告)号：CN104639134B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201410209728.5
申请日：2014-05-16
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H03K17/687 , H03K17/60
Abstract: 一种RF开关，包括：耦接至天线以便发射和接收第一和第二高频信号的公共端口；耦接在传输第一高频信号的发射端口和公共端口之间并且包括彼此串联耦接的多个开关器件的发射开关单元；和耦接在传输第二高频信号的接收端口和公共端口之间并且包括包含第一开关器件的第一开关单元的接收开关单元。第一开关单元可以进一步包括具有耦接至第一开关器件的第一端子的第一端子和耦接至第一开关器件的控制端子的第二端子的第二开关器件。
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公开(公告)号：CN111313842A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201910879516.0
申请日：2019-09-18
Applicant: 三星电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种偏置电路以及放大器，所述偏置电路包括：偏置电流电路，根据基于输入的射频信号的幅值确定的模式电压来改变电阻值，并且产生根据所述电阻值的所述改变而控制的偏置电流；偏置电压电路，产生根据电源电压的变化而调整的偏置电压，并且将所述偏置电压供应给放大电路；以及偏置传输电路，将所述偏置电流供应给所述放大电路的基极节点，并且阻挡来自所述基极节点的所述射频信号的输入。
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