公开(公告)号：CN120089526A

公开(公告)日：2025-06-03

申请号：CN202411281490.7

申请日：2024-09-13

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李孝柱 ,  李相炫 ,  金兑炯 ,  金南澐

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 提供一种多层陶瓷电容器及制造所述多层陶瓷电容器的方法，所述多层陶瓷电容器包括电容器主体和外电极，所述电容器主体包括介电层和内电极层，所述外电极设置在所述电容器主体的外表面上，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，所述多个介电晶粒中的至少一个包括介电复合物和子成分，在所述介电复合物中，钛酸钡基化合物掺杂有铪（Hf）或第一过渡金属，所述子成分包括稀土元素、第二过渡金属或它们的组合。

公开(公告)号：CN120032997A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410776137.X

申请日：2024-06-17

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 金兑炯 ,  金南澐 ,  李孝柱 ,  李相炫

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/002 ,  H01G4/00

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及其制造方法。所述多层陶瓷电容器，包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括多个介电晶粒，所述介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括核部和围绕所述核部的至少一部分的壳部，所述壳部包括钛酸钡基主成分和副成分，所述钛酸钡基主成分包括钡(Ba)和钛(Ti)，所述副成分包括锡(Sn)，所述壳部包括包含锡(Sn)的Sn集中区和包含的锡(Sn)的atom％小于所述Sn集中区中的锡(Sn)的atom％的Sn非集中区，并且包含在所述Sn集中区中的锡(Sn)与包含在所述Sn非集中区中的锡(Sn)的原子比为2.0至6.0。