公开(公告)号：CN1174520C

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN01140369.1

申请日：2001-12-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申知桓 ,  郑胜教

IPC: H01P5/18

CPC classification number: H01P5/185

Abstract: 这里公开的是一种多层芯片定向耦合器。该多层芯片定向耦合器具有第一接地图案、耦合信号线、主信号线、第二接地图案和多个端口。第一接地图案形成在第一介质层的上表面上。耦合信号线由第二介质层上表面上的导电图案形成。主信号线由第三介质层上表面上的导电图案形成，第三介质层形成在第二介质层上面。第二接地图案形成在第四介质层上表面上，第四介质层形成在第三介质层上面。多个端口形成在第一至第四介质层的侧表面上。

公开(公告)号：CN1373533A

公开(公告)日：2002-10-09

申请号：CN01140369.1

申请日：2001-12-12

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 申知桓 ,  郑胜教

IPC: H01P5/18

CPC classification number: H01P5/185

Abstract: 这里公开的是一种多层芯片定向耦合器。该多层芯片定向耦合器具有第一接地图案、耦合信号线、主信号线、第二接地图案和多个端口。第一接地图案形成在第一介质层的上表面上。耦合信号线由第二介质层上表面上的导电图案形成。主信号线由第三介质层上表面上的导电图案形成,第三介质层形成在第二介质层上面。第二接地图案形成在第四介质层上表面上,第四介质层形成在第三介质层上面。多个端口形成在第一至第四介质层的侧表面上。