公开(公告)号：CN118213192A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310848075.4

申请日：2023-07-11

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 赵恩

IPC: H01G4/224 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 一种多层电子组件包括：主体、侧边缘部和外电极，主体包括电容形成部，电容形成部包括在第一方向上交替设置的介电层和内电极，并且主体包括在第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到第一表面和第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到第一表面至第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，侧边缘部分别设置在第五表面和第六表面上，外电极分别设置在第三表面和第四表面上。满足0.436

公开(公告)号：CN119964984A

公开(公告)日：2025-05-09

申请号：CN202410671709.8

申请日：2024-05-28

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 朴炳炫 ,  赵恩 ,  田炳峻

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/008 ,  H01G4/232 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供了一种多层陶瓷电容器和制造多层陶瓷电容器的方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极层；以及外电极，设置在电容器主体上。电容器主体包括至少一个缺失部分，所述缺失部分被定义为内电极层的连续性断开的区域，并且所述缺失部分包括Mg集中区域，所述Mg集中区域包括镁(Mg)作为主要元素。介电层包括界面相邻区域，所述界面相邻区域被定义为从介电层与内电极层的界面到介电层中深度为80nm至100nm的位置处的区域，并且所述界面相邻区域包括镁(Mg)。包括在所述介电层的所述界面相邻区域中的镁(Mg)的原子百分比含量低于包括在所述缺失部分的所述Mg集中区域中的镁(Mg)的原子百分比含量。

公开(公告)号：CN120048654A

公开(公告)日：2025-05-27

申请号：CN202410679486.X

申请日：2024-05-29

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 吴知燮 ,  全炯俊 ,  姜雄基 ,  李知贤 ,  赵恩 ,  金正烈

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

Abstract: 本公开提供一种多层陶瓷电容器及制造多层陶瓷电容器的方法。所述多层陶瓷电容器包括：电容器主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述电容器主体的外部。所述介电层包括多个介电晶粒，所述介电晶粒包括核部和围绕所述核部的至少一部分的壳部，所述壳部包括钛酸钡基主成分和稀土元素(R)，所述钛酸钡基主成分包括钡(Ba)和钛(Ti)，所述稀土元素(R)包括镝(Dy)、铽(Tb)、钇(Y)、镧(La)或它们的组合，所述壳部中的R/Ba的原子比的变异系数(CV)和R/Ti的原子比的变异系数(CV)均大于0且小于0.19。