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公开(公告)号:CN100416877C
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200610140023.8
申请日:2006-10-08
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于制造能够容易执行芯片分离工艺的垂直结构的LED(发光二极管)的方法。在该方法中,在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构,其中,发光结构包括在生长基板上顺序设置的n型覆层、有源层、和p型覆层。在发光结构上形成p电极。然后,在p电极上形成第一镀层使其连接多个器件隔离区。在器件区的第一镀层上形成第二镀层图样。去除生长基板,然后在n型覆层上形成n电极。
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公开(公告)号:CN102290451A
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN201110092709.5
申请日:2011-04-13
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022425 , Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了一种用作太阳能电池的电极的导电电极图案以及具有该导电电极图案的太阳能电池。该导电电极图案包括在基板上垂直设置的下部金属层和上部金属层,其中下部金属层和上部金属层中的任意一个包括银(Ag),并且下部金属层和上部金属层中的另一个包括与下部金属层中的金属不同的过渡金属中的金属。
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公开(公告)号:CN1945866A
公开(公告)日:2007-04-11
申请号:CN200610140023.8
申请日:2006-10-08
Applicant: 三星电机株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/62 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种用于制造能够容易执行芯片分离工艺的垂直结构的LED(发光二极管)的方法。在该方法中,在具有多个器件区和至少一个器件隔离区的生长基板上形成发光结构,其中,发光结构包括在生长基板上顺序设置的n型覆层、有源层、和p型覆层。在发光结构上形成p电极。然后,在p电极上形成第一镀层使其连接多个器件隔离区。在器件区的第一镀层上形成第二镀层图样。去除生长基板,然后在n型覆层上形成n电极。
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