公开(公告)号：CN103687287A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310373300.X

申请日：2013-08-23

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 李忠熙 ,  赵在春 ,  张钟允 ,  田喜善 ,  朴钟洙 ,  金成贤

IPC: H05K1/03 ,  H05K3/00 ,  B32B27/38 ,  B32B27/06 ,  B32B37/02

CPC classification number: H01B3/002 ,  H01B3/40 ,  H01B17/60 ,  H01B19/04 ,  H05K1/036 ,  H05K1/0366 ,  H05K1/0373 ,  H05K2201/0209 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31511

Abstract: 本文公开了一种绝缘膜以及该绝缘膜的制备方法，该方法可以通过在绝缘膜的一个表面上提供具有60wt％至80wt％的二氧化硅重量比的增强层而解决由凹陷引起的问题。