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发明公开
半导体存储器件审中-实审

公开(公告)号：CN115602702A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210727771.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 金成焕 , 卢元基 , 郑娜瑞 , 韩昇煜

IPC: H01L29/06 , H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/528

Abstract: 一种半导体存储器件包括：衬底，在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸；位线结构，在衬底上在第一方向上排列，位线结构在第二方向上延伸；间隔物结构，设置在位线结构的侧壁上以在第二方向上延伸，间隔物结构包括由空气或氧化硅形成的间隔物；接触结构，设置在间隔物结构之间并且在第二方向上排列；围栏结构，填充接触结构之间的间隙和间隔物结构之间的间隙；以及焊盘隔离膜，隔离位于位线结构上的接触结构、间隔物结构和围栏结构。围栏结构包括第一围栏衬垫和第二围栏衬垫，第二围栏衬垫位于第一围栏衬垫上并且由空气和氧化硅中的一种形成，并且第二围栏衬垫在第一方向上与间隔物交叠。

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