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公开(公告)号:CN119847948A
公开(公告)日:2025-04-18
申请号:CN202411436084.3
申请日:2024-10-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/0862
Abstract: 设备可以包括存储器介质;存储介质;缓冲器;以及至少一个电路,被配置为执行一个或多个操作,一个或多个操作包括:接收存储器地址信息;将存储器地址信息存储在缓冲器中;确定数据可以被加载到存储器介质;以及将与缓冲器中的存储器地址信息相对应的数据从存储介质加载到存储器介质。在一些方面,存储器地址信息是第一存储器地址信息;数据是第一数据;以及至少一个电路还被配置为执行一个或多个操作,一个或多个操作包括:接收包括第二存储器地址信息的存储器访问请求;基于存储器访问请求确定加载第二数据;以及基于第二存储器地址信息将第二数据从存储介质加载到存储器介质。
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公开(公告)号:CN119806384A
公开(公告)日:2025-04-11
申请号:CN202411379683.6
申请日:2024-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种高速缓存一致性持久性存储器(PMEM)设备及其操作方法,其中,所述高速缓存一致性PMEM设备包括:输入/输出(I/O)接口;易失性存储器模块;错误校正模块,所述错误校正模块是可根据I/O协议配置的;非易失性存储模块;以及至少一个处理器,其被配置为:通过I/O接口从主机设备接收存储命令和与存储命令相对应的数据,基于存储命令,控制易失性存储器模块存储数据,控制错误校正模块对数据进行编码以生成编码的数据,以及控制非易失性存储模块存储编码的数据。
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公开(公告)号:CN118860273A
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN202410446191.8
申请日:2024-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06 , G06F12/0811
Abstract: 一种设备可以包括高速缓存介质、存储介质、被配置为与高速缓存介质及存储介质通信的通信接口,以及至少一个控制电路,其用于将存储介质的一部分配置为可见存储器,并且将高速缓存介质的一部分配置为用于存储介质的该部分的高速缓存。存储介质的该部分可以是存储介质的第一部分,并且至少一个控制电路可以用于配置存储介质的第二部分存留高速缓存介质的该部分。存储介质的该部分可以是存储介质的第一部分,并且至少一个控制电路可以用于将存储介质的第二部分配置为可见存储装置。
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