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公开(公告)号：CN113782541A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110641031.5
申请日：2021-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 一种垂直存储器件包括：在衬底上的沟道，沟道在垂直于衬底的上表面的垂直方向上延伸；在沟道的外侧壁上的电荷存储结构，电荷存储结构包括在平行于衬底的上表面的水平方向上顺序堆叠的隧道绝缘图案、电荷存储图案和第一阻挡图案；以及在衬底上在该垂直方向上彼此间隔开的栅电极，每个栅电极围绕电荷存储结构。第一阻挡图案包括含有卤素元素的硅氧化物，包括在第一阻挡图案中的卤素元素的浓度从第一阻挡图案的面对栅电极中的相应栅电极的外侧壁朝向第一阻挡图案的面对电荷存储图案的内侧壁降低。
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