公开(公告)号：CN112166526A

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201980034263.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.N.马库林 ,  A.S.卢克雅诺夫 ,  E.A.谢佩列娃 ,  A.Y.尼基肖夫 ,  A.R.威伦斯基

IPC: H01P1/15

Abstract: 一种根据本公开的用于控制电磁波的传输的设备，包括：导线，位于信号层上，并且经由输入端子接收的电磁波通过所述导线行进；通过介电层与信号层电分离并且电接地的接地层；包括第一端和第二端并通过第一端连接到导线的分流通孔；以及连接在分流通孔的第二端和接地层之间并且基于光信号的输入而具有介电状态或导电状态的光电导半导体，其中导线经由分流通孔和处于导电状态中的光电导半导体电连接到接地层，从而引起电磁波从分流通孔的反射。

公开(公告)号：CN110235301A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201780085292.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.R.维伦斯基 ,  E.A.谢佩列娃 ,  G.A.叶夫秋什金 ,  M.N.马库林

IPC: H01P1/10

Abstract: 高频装置和/或包括其的高频开关可以包括：信号电极；第一接地电极，与信号电极平行地设置；第一液晶层，设置在信号电极和第一接地电极之间；以及第一电介质层，设置在第一液晶层和第一接地电极之间和/或设置在信号电极和第一液晶层之间。第一电介质层可以具有比第一液晶层的介电常数大的介电常数。可以各种各样地实现高频装置和/或包括其的高频装置。

公开(公告)号：CN112166526B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201980034263.5

申请日：2019-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： M.N.马库林 ,  A.S.卢克雅诺夫 ,  E.A.谢佩列娃 ,  A.Y.尼基肖夫 ,  A.R.威伦斯基

IPC: H01P1/15

Abstract: 一种根据本公开的用于控制电磁波的传输的设备，包括：导线，位于信号层上，并且经由输入端子接收的电磁波通过所述导线行进；通过介电层与信号层电分离并且电接地的接地层；包括第一端和第二端并通过第一端连接到导线的分流通孔；以及连接在分流通孔的第二端和接地层之间并且基于光信号的输入而具有介电状态或导电状态的光电导半导体，其中导线经由分流通孔和处于导电状态中的光电导半导体电连接到接地层，从而引起电磁波从分流通孔的反射。

公开(公告)号：CN110235301B

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN201780085292.5

申请日：2017-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： A.R.维伦斯基 ,  E.A.谢佩列娃 ,  G.A.叶夫秋什金 ,  M.N.马库林

IPC: H01P1/10

Abstract: 高频装置和/或包括其的高频开关可以包括：信号电极；第一接地电极，与信号电极平行地设置；第一液晶层，设置在信号电极和第一接地电极之间；以及第一电介质层，设置在第一液晶层和第一接地电极之间和/或设置在信号电极和第一液晶层之间。第一电介质层可以具有比第一液晶层的介电常数大的介电常数。可以各种各样地实现高频装置和/或包括其的高频装置。