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公开(公告)号:CN120021370A
公开(公告)日:2025-05-20
申请号:CN202411331976.7
申请日:2024-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 一种半导体器件,包括:位于衬底上的位线、位于位线上的沟道、位于沟道的第一侧壁上的第一栅极结构、位于位线与沟道之间的接触结构、以及位于沟道上并电连接到沟道的电容器,其中,接触结构接触位线和沟道,接触结构包括第一接触和位于第一接触上的第二接触,第一接触包括掺杂有第一杂质的半导体材料,第一杂质具有第一扩散系数,第二接触接触第一接触,第二接触包括掺杂有第二杂质的半导体材料,所述第二杂质具有第二扩散系数,第二扩散系数小于第一扩散系数。