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发明公开
堆叠半导体器件和制造其的方法审中-实审

公开(公告)号：CN114823666A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202111570992.8

申请日：2021-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋昇炫 , 洪炳鹤 , 全辉璨 , 黃寅灿

IPC: H01L27/088 , H01L21/8234

Abstract: 一种堆叠半导体器件和制造其的方法，该堆叠半导体器件包括：衬底；第一晶体管，形成在衬底上，并包括被第一栅极结构和第一源极/漏极区围绕的第一有源区；以及第二晶体管，堆叠在第一晶体管上，并包括被第二栅极结构和第二源极/漏极区围绕的第二有源区，其中，关于其间的虚拟平面，第一有源区和第一栅极结构分别与第二有源区和第二栅极结构垂直镜像对称。

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