Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"鲜于艺智" Page 1

1.

发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN115707235A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210849101.0

申请日：2022-07-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑星真 , 朴硕汉 , 鲜于艺智 , 刘宝元 , 孙英雄

IPC: H10B12/00 , H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：单元晶体管，位于基底上；下电极，分别连接到单元晶体管，在第一水平方向上按照第一节距布置，并且在竖直方向上延伸；以及蚀刻停止层，围绕下电极的下侧壁并且布置在比单元晶体管的水平高的水平处，其中，蚀刻停止层包括与下电极竖直地叠置的第一部分和横向地围绕第一部分的第二部分，并且第二部分包括在第一水平方向上按照第二节距布置的凹陷。

Patent Agency Ranking