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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118695610A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410330775.9
申请日：2024-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种三维(3D)铁电随机存取存储器(FeRAM)及其制造方法。所述3D FeRAM包括：在衬底上在垂直方向上堆叠并且在第一水平方向上彼此间隔开的半导体图案；位线，在半导体图案的第一侧表面上，在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此间隔开；第一电极，在半导体图案的第二侧表面上，并且在垂直方向和第一水平方向两者上彼此间隔开；铁电层，在第一电极上；第二电极，在铁电层上，在第一水平方向上延伸并且在垂直方向上彼此间隔开；以及字线，在两个相邻的半导体图案之间并在垂直方向上延伸。
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公开(公告)号：CN105359191A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201480038568.0
申请日：2014-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06T15/08 , A61B8/4405 , A61B8/463 , A61B8/466 , A61B8/483 , A61B8/5207 , A61B8/54 , G01S15/8993 , G06T15/04 , G06T19/00 , G06T19/20 , G06T2210/41 , G06T2215/16 , G06T2219/2012
Abstract: 在此公开的是一种超声成像设备及其控制方法。所述超声成像设备包括：超声采集器，被配置为采集来自对象的超声波；体数据产生器，被配置为基于所述超声波来产生体数据；图像处理器，被配置为参照纹理图像对体数据执行体绘制，其中，对象的半透明特性和多层组织被反映给所述纹理图像的每个像素。
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公开(公告)号：CN119697996A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202410513181.1
申请日：2024-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：器件隔离图案，在半导体基底中并限定在第一方向上延伸的有源图案；位线，与半导体基底上的有源图案交叉并且在与第一方向形成锐角的第二方向上延伸；字线，在与第二方向交叉的第三方向上横跨有源图案延伸并且延伸到半导体基底中；电极板，竖直堆叠在位线上；共电极图案，穿过电极板延伸到在位线的一侧的有源图案；以及铁电图案，在共电极图案与电极板之间。位线与有源图案的上表面和器件隔离图案的上表面接触。
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公开(公告)号：CN101923727A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201010200612.7
申请日：2010-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06T15/00
CPC classification number: G06T15/005 , G06T15/50
Abstract: 本发明提供一种混合渲染装置和方法。公开了一种混合可扩展渲染装置及其方法。混合可扩展渲染装置可以根据用于渲染的目标对象的材料性质、目标对象和给定的相机位置之间的距离、硬件的性能等选择性地应用栅格化渲染、辐射度渲染、光线跟踪渲染中的至少一种。混合渲染装置包括：确定单元，选择用于执行3D渲染的渲染方案；第一渲染单元，根据第一渲染方案通过表现直接光来执行3D渲染；第二渲染单元，根据第二渲染方案通过表现间接光和阴影中的至少一种来执行3D渲染；第三渲染单元，根据第三渲染方案通过表现反射光、折射光、衍射光中的至少一种来执行3D渲染。
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