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公开(公告)号:CN110554902A
公开(公告)日:2019-12-10
申请号:CN201910240479.9
申请日:2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 韩宗宪
Abstract: 提供了半导体器件。该半导体器件包括:处理器,向第一客户操作系统和第二客户操作系统提供物理设备的虚拟化功能;以及特殊功能寄存器(SFR),电连接到处理器并且包括被分配给第一客户操作系统的第一区域和被分配给第二客户操作系统的第二区域,其中,关于从第一客户操作系统提供的第一数据访问请求的信息被存储在第一区域中,并且关于从第二客户操作系统提供的第二数据访问请求的信息被存储在第二区域中,并且处理器响应于第一数据访问请求和第二数据访问请求,生成分别被指定给第一客户操作系统和第二客户操作系统的第一中断和第二中断。
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公开(公告)号:CN110554902B
公开(公告)日:2024-07-02
申请号:CN201910240479.9
申请日:2019-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor: 韩宗宪
Abstract: 提供了半导体器件。该半导体器件包括:处理器,向第一客户操作系统和第二客户操作系统提供物理设备的虚拟化功能;以及特殊功能寄存器(SFR),电连接到处理器并且包括被分配给第一客户操作系统的第一区域和被分配给第二客户操作系统的第二区域,其中,关于从第一客户操作系统提供的第一数据访问请求的信息被存储在第一区域中,并且关于从第二客户操作系统提供的第二数据访问请求的信息被存储在第二区域中,并且处理器响应于第一数据访问请求和第二数据访问请求,生成分别被指定给第一客户操作系统和第二客户操作系统的第一中断和第二中断。
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公开(公告)号:CN101256325A
公开(公告)日:2008-09-03
申请号:CN200810006457.8
申请日:2008-02-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G09G3/36
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G2300/0426 , G09G2300/0465 , G09G2310/0297
Abstract: 本发明公开了一种显示装置,该装置包括多个薄膜晶体管,包括栅电极、源电极和漏电极;多个像素电极,分别连接至薄膜晶体管的漏电极;多条栅极线,分别设置到沿像素电极长度方向的像素电极的相对的边缘部分,并连接至薄膜晶体管的栅电极;以及多条数据线,分别设置到沿像素电极宽度方向的像素电极的单个边缘部分,并连接到薄膜晶体管的源电极,两者间夹有单条数据线的彼此相邻的一对像素电极,以及一对薄膜晶体管,分别连接至与同一单条数据线连接的一对像素电极。
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