公开(公告)号：CN106910740B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201611019131.X

申请日：2016-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈闵正 ,  裴相友 ,  崔贤民

IPC: H01L27/112

Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。

公开(公告)号：CN106910740A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611019131.X

申请日：2016-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 陈闵正 ,  裴相友 ,  崔贤民

IPC: H01L27/112

CPC classification number: H01L27/11206 ,  H01L23/5252 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/495 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7851 ,  H01L27/1122 ,  H01L27/11246

Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。