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公开(公告)号：CN104715781A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410781643.4
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C11/4091 , G11C11/4087 , G11C11/4099 , G11C2207/002
Abstract: 本发明提供了一种读出放大器，该读出放大器包括：第一负载，从连接至选择的存储器单元的读位线向该第一负载供应选择单元电流；第二负载，从连接至参考单元的参考读位线向该第二负载供应参考电流，第二负载的电阻值与第一负载的电阻值不同；以及感测单元，其被配置为基于第一负载和第二负载的电阻比来校正参考电流的电平，并且将选择单元电流与校正的参考电流进行比较。
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公开(公告)号：CN104715780A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410768465.1
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C7/062 , G11C13/004 , G11C2013/0054 , G11C2013/0057
Abstract: 本发明提供了一种读出放大器、包括该读出放大器的非易失性存储器装置以及该读出放大器的感测方法。该读出放大器包括：第一比较器，其通过将从第一参考单元接收的第一参考信号与从选择的存储单元接收的感测目标信号进行比较来产生第一比较信号，并且通过将感测目标信号与从第二参考单元接收的第二参考信号进行比较来产生第二比较信号，第二参考单元与第一参考单元在不同状态下被写入；以及第二比较器，其通过将第一比较信号与第二比较信号进行比较来感测存储在选择的存储单元中的数据。
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公开(公告)号：CN110910925B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN201910837939.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可提供一种存储器装置，包括：包括第一磁电阻存储器单元的正常存储器单元阵列，第一磁电阻存储器单元连接到第一位线、第一源极线和第一字线，并被构造为通过第一字线接收选择电压；包括第二磁电阻存储器单元的监视器存储器单元阵列，第二磁电阻存储器单元连接到第一信号线和第二信号线，第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的栅极被构造为接收非选择电压；和体偏置发生器，其被构造为感测流过第一信号线的泄漏电流，并基于泄漏电流控制提供到第一磁电阻存储器单元的单元晶体管的体和第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的体中的每个的体电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104715780B
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201410768465.1
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
Abstract: 本发明提供了一种读出放大器、包括该读出放大器的非易失性存储器装置以及该读出放大器的感测方法。该读出放大器包括：第一比较器，其通过将从第一参考单元接收的第一参考信号与从选择的存储单元接收的感测目标信号进行比较来产生第一比较信号，并且通过将感测目标信号与从第二参考单元接收的第二参考信号进行比较来产生第二比较信号，第二参考单元与第一参考单元在不同状态下被写入；以及第二比较器，其通过将第一比较信号与第二比较信号进行比较来感测存储在选择的存储单元中的数据。
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公开(公告)号：CN110910925A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910837939.6
申请日：2019-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 可提供一种存储器装置，包括：包括第一磁电阻存储器单元的正常存储器单元阵列，第一磁电阻存储器单元连接到第一位线、第一源极线和第一字线，并被构造为通过第一字线接收选择电压；包括第二磁电阻存储器单元的监视器存储器单元阵列，第二磁电阻存储器单元连接到第一信号线和第二信号线，第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的栅极被构造为接收非选择电压；和体偏置发生器，其被构造为感测流过第一信号线的泄漏电流，并基于泄漏电流控制提供到第一磁电阻存储器单元的单元晶体管的体和第二磁电阻存储器单元的单元晶体管的体中的每个的体电压。
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公开(公告)号：CN105336352B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510479332.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/0054
Abstract: 本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个部分，各个部分包括多个存储器小块和至少一个参考小块。存储器装置还可包括：多个读出放大器电路，其分别对应于所述多个部分；以及多个开关电路，各个开关电路连接在对应的部分与读出放大器电路之间。各个开关电路可被构造为选择是将第一列存储器小块还是将参考小块以通信方式连接至对应的读出放大器。
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公开(公告)号：CN104715781B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201410781643.4
申请日：2014-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
IPC: G11C7/06
Abstract: 本发明提供了一种读出放大器，该读出放大器包括：第一负载，从连接至选择的存储器单元的读位线向该第一负载供应选择单元电流；第二负载，从连接至参考单元的参考读位线向该第二负载供应参考电流，第二负载的电阻值与第一负载的电阻值不同；以及感测单元，其被配置为基于第一负载和第二负载的电阻比来校正参考电流的电平，并且将选择单元电流与校正的参考电流进行比较。
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公开(公告)号：CN105336352A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510479332.7
申请日：2015-08-03
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 阿图尔·安东尼扬
CPC classification number: G11C11/1673 , G11C11/1655 , G11C13/0026 , G11C13/004 , G11C2013/0054
Abstract: 本发明提供了一种存储器装置，该存储器装置包括存储器阵列，该存储器阵列包括多个部分，各个部分包括多个存储器小块和至少一个参考小块。存储器装置还可包括：多个读出放大器电路，其分别对应于所述多个部分；以及多个开关电路，各个开关电路连接在对应的部分与读出放大器电路之间。各个开关电路可被构造为选择是将第一列存储器小块还是将参考小块以通信方式连接至对应的读出放大器。
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