公开(公告)号：CN1330002C

公开(公告)日：2007-08-01

申请号：CN200310124889.6

申请日：2003-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱相润 ,  徐春德

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/00 ,  H01G5/00

CPC classification number: H01L27/0808

Abstract: 本发明涉及一种使用CMOS工艺用以提高品质因数的射频(RF)可变电容器的结构以及制造这种射频可变电容器的方法。该RF可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，其结构包括第一电容器，该第一电容器的电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间，还包括第二电容器，该第二电容器串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。

公开(公告)号：CN1527406A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200310124889.6

申请日：2003-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 钱相润 ,  徐春德

IPC: H01L29/94 ,  H01L29/00 ,  H01G5/00

CPC classification number: H01L27/0808

Abstract: 本发明涉及一种使用CMOS工艺用以提高品质因数的射频(RF)可变电容器的结构以及制造这种射频可变电容器的方法。该RF可变电容器的电容可变范围在第一最小值和第一最大值之间，其结构包括第一电容器，该第一电容器的电容可变范围在大于第一最小值的第二最小值和大于第一最大值的第二最大值之间，还包括第二电容器，该第二电容器串联连接到第一电容器上，并具有固定值的电容。