等离子体设备和利用等离子体设备制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN105097404A

    公开(公告)日:2015-11-25

    申请号:CN201510230610.5

    申请日:2015-05-08

    Abstract: 本发明提供了一种等离子体设备,该等离子体设备包括:处理室,其具有内空间;吸盘,其设置在处理室中,并具有其上装载衬底的顶表面;气体供应单元,其将处理气体供应至处理室中;等离子体产生单元,其在吸盘上方产生等离子体;以及直流功率发生器,其将直流脉冲信号施加至吸盘。直流脉冲信号的周期可包括:在其中施加负脉冲的负脉冲持续时间;在其中施加正脉冲的正脉冲持续时间;以及其中负脉冲和正脉冲均截止的无脉冲持续时间。正脉冲持续时间在负脉冲持续时间与无脉冲持续时间之间。无脉冲持续时间可包括其幅值低于正脉冲的电压的幅值的电压,诸如地电压。

    等离子体设备和利用等离子体设备制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN105097404B

    公开(公告)日:2018-04-17

    申请号:CN201510230610.5

    申请日:2015-05-08

    Abstract: 本发明提供了一种等离子体设备,该等离子体设备包括:处理室,其具有内空间;吸盘,其设置在处理室中,并具有其上装载衬底的顶表面;气体供应单元,其将处理气体供应至处理室中;等离子体产生单元,其在吸盘上方产生等离子体;以及直流功率发生器,其将直流脉冲信号施加至吸盘。直流脉冲信号的周期可包括:在其中施加负脉冲的负脉冲持续时间;在其中施加正脉冲的正脉冲持续时间;以及其中负脉冲和正脉冲均截止的无脉冲持续时间。正脉冲持续时间在负脉冲持续时间与无脉冲持续时间之间。无脉冲持续时间可包括其幅值低于正脉冲的电压的幅值的电压,诸如地电压。

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