公开(公告)号：CN119834823A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411407603.3

申请日：2024-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀旻 ,  崔弘旻 ,  金敏植 ,  白昌铉 ,  任炯先 ,  许准会

IPC: H04B1/40 ,  H04L25/49 ,  H03F1/32

Abstract: 提供射频电路、操作射频电路的方法和电子装置，所述射频电路包括：多音调生成电路，被配置为生成包括多个音调的多音调信号；预失真电路，被配置为使多音调信号或调制信号预失真，并且输出预失真信号；功率放大器，被配置为对预失真信号进行放大，并且输出输出信号；以及预失真建模电路，被配置为基于与多音调信号对应的预失真信号和输出信号来对与预失真电路对应的预失真模型进行建模。

公开(公告)号：CN119517110A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411106632.6

申请日：2024-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴泳宰 ,  金秀旻 ,  金庾灿 ,  金东河 ,  金铉普

IPC: G11C11/406 ,  G11C11/4076

Abstract: 提供了半导体存储器装置和半导体存储器装置的自刷新方法。所述半导体存储器装置的自刷新方法包括：接收与自刷新操作相关联的自刷新进入命令；对从接收到自刷新进入命令的时间起经过的时间进行计数；以及根据在计数的经过的时间超过参考时间之前是否接收到自刷新退出命令来跳过自刷新操作。