公开(公告)号：CN116507116A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202211308186.8

申请日：2022-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑湖璇 ,  金珉宇 ,  宋正宇 ,  李垣哲

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括存储器单元、外围区域和中间区域；器件隔离图案；分隔图案；位线，在第一方向上延伸到中间区域与外围区域之间的边界；存储节点接触件，在存储器单元区域上并且填充位线之间的空间的下部分；接合垫，在存储节点接触件上；虚设存储节点接触件，在中间区域上并且填充位线之间的空间的下部分；虚设接合垫，在虚设存储节点接触件上；以及坝结构，在中间区域上、在所述第一方向上延伸并且具有条形状，其中，虚设接合垫在第二方向上与坝结构的边缘间隔开，并且虚设存储节点接触件与分隔图案接触。

公开(公告)号：CN116471834A

公开(公告)日：2023-07-21

申请号：CN202310002803.X

申请日：2023-01-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申讃优 ,  姜赫镇 ,  李东焕 ,  李全一 ,  金珉宇 ,  宋正宇

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括：位线结构，在基底上；下接触塞，在基底的与位线结构邻近的部分上；上接触塞，包括下接触塞上的第一金属图案和接触第一金属图案的上表面和上侧壁的第二金属图案；以及电容器，在上接触塞上。第一金属图案的上表面相对于基底的上表面在位线结构的上表面上方。

公开(公告)号：CN116419564A

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN202310007877.2

申请日：2023-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东焕 ,  姜赫镇 ,  申赞优 ,  金珉宇 ,  宋正宇

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：在基板上的导电线、沿导电线的上表面延伸的盖图案、沿导电线的侧表面和盖图案的侧表面延伸的间隔物结构、在间隔物结构的侧表面上的电连接到基板的掩埋接触、沿掩埋接触和间隔物结构延伸的阻挡导电膜、以及在阻挡导电膜和盖图案上的电连接到掩埋接触的着落焊盘，其中间隔物结构的上部包括低于或等于盖图案的最上表面的间隔物凹槽，阻挡导电膜沿间隔物凹槽延伸并且不覆盖盖图案的最上表面。