公开(公告)号：CN1171291C

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN98124471.8

申请日：1998-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  金炳錤

IPC: H01L21/318

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种改进的形成沟槽绝缘的方法，其中，用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺，以至少两种不同气体组成的混合气体作为硅源气体，形成富含硅氮化物层作为蚀刻半导体基片的掩模。这种改进的方法和富含硅氮化物层能防止栅氧化层的可靠性降低，并且晶片上及每一批都具有良好的均匀性。

公开(公告)号：CN1218987A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98124471.8

申请日：1998-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄錤铉 ,  金炳錤

IPC: H01L21/469

CPC classification number: H01L21/3185 ,  H01L21/76224

Abstract: 本发明公开了一种改进的形成沟槽绝缘的方法,其中,用低压化学气相淀积(LPCVD)工艺,以至少两种不同气体组成的混合气体作为硅源气体,形成富含硅氮化物层作为蚀刻半导体基片的掩模。这种改进的方法和富含硅氮化物层能防止栅氧化层的可靠性降低,并且晶片上及每一批都具有良好的均匀性。