公开(公告)号：CN111739927A

公开(公告)日：2020-10-02

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。

公开(公告)号：CN111739927B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202010186965.X

申请日：2020-03-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜声珉 ,  金炅泯 ,  金荣睦 ,  禹珉希

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了半导体器件和制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底；在所述衬底的所述第一区域中形成第一沟道层；在所述衬底中形成隔离区域，以将所述第一区域的一部分与所述第二区域的一部分电隔离；蚀刻所述衬底的所述第二区域的上表面；形成覆盖所述衬底的所述第一区域中的所述第一沟道层和所述衬底的所述第二区域的保护层；去除所述衬底的所述第二区域上的所述保护层；在所述保护层上和所述衬底的所述第二区域上形成栅极绝缘材料层；以及去除所述衬底的所述第一区域上的所述栅极绝缘材料层和所述保护层。