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发明公开
制造半导体器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118946144A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410584961.5

申请日：2024-05-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵成根 , 黄水奂 , 金冈昱 , 金利桓 , 金池训 , 朴晋亨 , 申铉守 , 严泰民 , 郑盛旭

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：在衬底的第一区上形成第一栅极结构，在第一栅极结构上形成位线结构，在衬底上形成包括非晶硅的初步接触插塞层，在初步接触插塞层上形成反射层结构，从初步接触插塞层形成接触插塞层，并且在接触插塞层上形成电容器。反射层结构可以包括第一反射层和第二反射层。第二反射层的折射率可以大于第一反射层的折射率。第二反射层的位于衬底的第一区和第二区上的部分可以具有不同的厚度。形成接触插塞层的步骤可以包括对反射层结构执行熔融激光退火(MLA)工艺以将初步接触插塞层的非晶硅转换为多晶硅。

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