公开(公告)号：CN111033765B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201880053558.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰培 ,  任祥均 ,  金显炅 ,  崔容勋

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/20

Abstract: 一种发光器件包括：半导体层；和发光层，设置在半导体层中并具有Ga(1‑x)InxN的组成比。x大于0.14但小于0.16以从发光层发射绿光，或大于0.22但小于0.26以从发光层发射蓝光。

公开(公告)号：CN111033765A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201880053558.2

申请日：2018-08-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰培 ,  任祥均 ,  金显炅 ,  崔容勋

IPC: H01L33/26 ,  H01L33/20

Abstract: 一种发光器件包括：半导体层；和发光层，设置在半导体层中并具有Ga(1-x)InxN的组成比。x大于0.14但小于0.16以从发光层发射绿光，或大于0.22但小于0.26以从发光层发射蓝光。