公开(公告)号：CN1518066A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200310102628.4

申请日：2003-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时然 ,  许基宰

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 为了形成半导体器件电容器的底电极，在衬底上形成具有第一接触孔的第一绝缘层图形，在接触孔中形成用于底电极的接触栓塞。在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成第二绝缘层。第二绝缘层具有第二刻蚀速率，第二刻蚀速率高于第一绝缘层图形的第一刻蚀速率。刻蚀第二绝缘层以形成具有第二接触孔的第二绝缘层图形，第二接触孔露出接触栓塞。在第二接触孔的侧壁上和底部正面上形成导电薄膜。根据第一刻蚀速率和第二刻蚀速率之间的差值，减小邻近接触栓塞的第一绝缘层图形的刻蚀。

公开(公告)号：CN100380594C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200310102628.4

申请日：2003-10-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金时然 ,  许基宰

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L27/10852 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10885 ,  H01L28/91

Abstract: 为了形成半导体器件电容器的底电极，在衬底上形成具有第一接触孔的第一绝缘层图形，在接触孔中形成用于底电极的接触栓塞。在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成第二绝缘层。第二绝缘层具有第二刻蚀速率，第二刻蚀速率高于第一绝缘层图形的第一刻蚀速率。刻蚀第二绝缘层以形成具有第二接触孔的第二绝缘层图形，第二接触孔露出接触栓塞。在第二接触孔的侧壁上和底部正面上形成导电薄膜。根据第一刻蚀速率和第二刻蚀速率之间的差值，减小邻近接触栓塞的第一绝缘层图形的刻蚀。