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公开(公告)号：CN110034084A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811425192.5
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种包括具有柱结构的高可靠性凸块结构的半导体器件。该半导体器件包括：衬底；连接焊盘，位于所述衬底上；以及凸块结构，位于所述连接焊盘上，其中，所述凸块结构包括：柱结构，具有侧壁和上表面，金属保护膜，包括位于所述柱结构的侧壁上的第一部分以及位于所述柱结构的上表面上的第二部分，以及焊料层，位于所述金属保护膜的第二部分上。
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