公开(公告)号：CN114171510A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110717235.2

申请日：2021-06-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金应叫 ,  金钟润 ,  全光宰

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装，可以包括：基板和在基板上的半导体芯片。基板可以包括：内绝缘层；再分布层，在内绝缘层中；外绝缘层，在内绝缘层上；连接焊盘，设置在外绝缘层中并且电连接到再分布层；以及，接地电极，在外绝缘层中。连接焊盘的顶表面可以通过外绝缘层的顶表面暴露，并且连接焊盘的顶表面的高度可以低于外绝缘层的顶表面的高度。接地电极的底表面的高度可以高于再分布层的顶表面的高度，并且外绝缘层覆盖接地电极的顶表面。

公开(公告)号：CN115528009A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210707893.8

申请日：2022-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵珉准 ,  李锡贤 ,  金应叫

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

Abstract: 公开了半导体封装及其制造方法。一种半导体封装，包括：重分布基板上的半导体芯片。所述重分布基板包括基础介电层和所述基础介电层中的上耦合焊盘。所述上耦合焊盘的顶表面与所述基础介电层的顶表面共面。所述半导体芯片包括：重分布介电层和所述重分布介电层中的重分布芯片焊盘。所述重分布芯片焊盘的顶表面与所述重分布介电层的顶表面共面。所述重分布介电层的顶表面被接合到所述基础介电层的顶表面。所述重分布芯片焊盘被接合到所述上耦合焊盘。所述重分布芯片焊盘和所述上耦合焊盘包括相同的金属材料。所述重分布介电层和所述基础介电层包括光敏聚合物层。