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公开(公告)号：CN111199968A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201911075453.X
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , G06F30/392
Abstract: 提供了制造半导体装置的方法。制造半导体装置的方法包括从目标设计布局中选择目标图案。目标图案包括：目标网；电连接到目标网的目标过孔；以及交叉网，其电连接到目标过孔并且位于与目标网不同的水平高度上。该方法包括分析与目标网相邻的外围图案。此外，该方法包括生成冗余网和将冗余网和交叉网电连接的冗余过孔。
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