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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN113851483A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202110703157.0

申请日：2021-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佑疆 , 朴世准 , 方孝济 , 李载德 , 李正勋

IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582

Abstract: 一种半导体装置，包括：堆叠结构，其包括在竖直方向上间隔开的栅极层和层间绝缘层；沟道孔，其在竖直方向上穿透堆叠结构；核心区，其在沟道孔内延伸；沟道层，其设置在核心区的侧表面上；第一介电层、数据存储层和第二介电层，其设置在沟道层和栅极层之间；以及焊盘图案，其设置在核心区上、在沟道孔中、并且与沟道层接触。最上栅极层的第一部分的侧表面与沟道层的外侧表面之间的第一水平距离大于最上栅极层的第二部分的侧表面与焊盘图案的外侧表面之间的第二水平距离。

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