公开(公告)号：CN111009273A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910396964.5

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞敏 ,  金大善 ,  南仁哲 ,  李昌洙 ,  郑震石

IPC: G11C11/4063 ,  G11C5/14

Abstract: 一种半导体存储装置，包括存储单元单位和内部电压稳定装置。存储单元单元包括行译码器、列译码器和存储单元阵列。内部电压稳定装置包括：操作终止确定单元，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止并输出操作终止命令；终止电压生成单元，被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压；和开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且将从终止电压生成单元输入的终止电压提供给存储单元阵列的多个内部节点。

公开(公告)号：CN111009273B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN201910396964.5

申请日：2019-05-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴赞敏 ,  金大善 ,  南仁哲 ,  李昌洙 ,  郑震石

IPC: G11C11/4063 ,  G11C5/14

Abstract: 一种半导体存储装置，包括存储单元单位和内部电压稳定装置。存储单元单元包括行译码器、列译码器和存储单元阵列。内部电压稳定装置包括：操作终止确定单元，被配置为基于外部输入电压确定半导体存储装置的操作是否终止并输出操作终止命令；终止电压生成单元，被配置为基于操作终止确定单元的操作终止的确定结果来生成具有预设电压值的终止电压；和开关单元，包括多个开关，所述多个开关响应于所述操作终止命令而导通，并且将从终止电压生成单元输入的终止电压提供给存储单元阵列的多个内部节点。

公开(公告)号：CN113012734A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011291928.1

申请日：2020-11-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑震石 ,  奇银珠

IPC: G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C7/06

Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，包括连接到多条字线和多条位线的多个存储器单元；字线驱动电路，包括分别连接到多条字线的多个子字线解码器，其中，每个子字线解码器被配置为当各自连接的字线被选择时将第一驱动信号输入到该字线，并且其中，每个子字线解码器被配置为当各自连接的字线未被选择时将预定的电源电压输入到该字线；感测放大器电路，包括连接到位线的感测放大器；以及逻辑电路，被配置为通过在将第一驱动信号输入到被选择的字线的同时使未被选择的子字线解码器浮置并且使用感测放大器中的至少一个检测连接到未被选择的字线的存储器单元的数据来确定存储器单元阵列和字线驱动电路中的至少一者的故障。