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公开(公告)号：CN115966471A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211234733.2
申请日：2022-10-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 一种制造半导体封装件的方法，该方法包括：在绝缘层上设置第一种子层，使得第一种子层包括第一金属材料；在第一种子层上设置第二种子层，使得第二种子层包括与第一金属材料不同的第二金属材料；在第二种子层上形成光刻胶图案；在光刻胶图案之间形成导电图案，导电图案包括第二金属材料，并且具有在第一方向上延伸的线形；去除光刻胶图案；蚀刻第二种子层，以形成具有在第一方向上延伸的线形的第二种子图案；以及蚀刻第一种子层，以形成具有在第一方向上延伸的线形的第一种子图案，其中，蚀刻剂包括去离子水、氟化合物、竞争化合物和腐蚀抑制剂。
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