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公开(公告)号：CN118642646A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202311700150.9
申请日：2023-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法，所述存储装置包括写入增强器缓冲器和正常存储设备。所述操作方法包括：将从主机装置接收的第一写入数据写入写入增强器缓冲器中；以及基于所述存储装置的装置温度，选择性地对写入增强器缓冲器执行刷写操作，在刷写操作中，存储在写入增强器缓冲器中的第一写入数据被刷写到正常存储设备。包括在写入增强器缓冲器中的存储器单元中的每个被配置为存储“n”个位(n是正整数)，并且包括在正常存储设备中的存储器单元中的每个被配置为存储“m”个位(m是大于n的正整数)。
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