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发明公开
半导体装置审中-实审

公开(公告)号：CN115568213A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210654535.5

申请日：2022-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洋熙 , 朴钟爀 , 尹一永 , 尹普彦 , 许智焕

IPC: H10B12/00

Abstract: 半导体装置可以包括衬底、图案化结构、填充图案和导电间隔件。衬底可以包括半导体芯片区域和覆盖区域。图案化结构可以包括在半导体区域上间隔开第一距离的位线结构，限定覆盖区域的第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽，并且包括位于第二区域上并且通过第二沟槽间隔开的键结构。填充图案可以填充第一区域和第二区域上的第一沟槽和第二沟槽的下部。第一区域可以是覆盖区域的边缘部分。第二区域可以是覆盖区域的中心部分。导电间隔件可以接触填充图案的上表面，并且可以位于第一沟槽和第二沟槽中的每一个的上侧壁上。

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