-
公开(公告)号:CN115495389A
公开(公告)日:2022-12-20
申请号:CN202210669860.9
申请日:2022-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了存储控制器、计算存储装置以及计算存储装置的操作方法。所述计算存储装置包括:非易失性存储器(NVM)装置;以及存储控制器,被配置为控制NVM装置。存储控制器包括:计算处理器,被配置为:执行内部应用以生成内部命令;主机接口电路,被配置为:从外部主机装置接收主机命令,从计算处理器接收内部命令,并且单独地处理接收的主机命令和接收的内部命令;闪存转换层(FTL),被配置为:基于主机接口电路的处理的结果,执行地址映射操作;以及存储器接口电路,被配置为:基于FTL的地址映射操作,控制NVM装置。
-
公开(公告)号:CN115933968A
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN202211082337.2
申请日:2022-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了计算存储装置和电子系统。所述计算存储装置包括:非易失性存储器,被配置为存储数据;以及存储控制器,被配置为基于所述数据来控制将被执行的多个应用。存储控制器包括:处理器;以及存储器,包括被配置为存储用户程序的程序槽。处理器被配置为:驱动操作系统执行用户程序,以控制所述多个应用之中的应用基于事件信号对所述数据执行第一操作。
-
公开(公告)号:CN112988615A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202011431455.0
申请日:2020-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种键值存储设备包括:被划分成块的非易失性存储器(NVM);包括键缓冲器、值缓冲器和映射缓冲器的数据缓冲器;以及包括键值管理器的控制器。键值管理器接收命令以及包括键和分别与键对应的值的键值对,将键与值分离,将键存储在键缓冲器中并将值存储在值缓冲器中,通过组合存储在值缓冲器中的值的集合来生成值流,通过组合键的集合并合并分别与所述键的集合中的键对应的值的索引来生成键流,以及更新存储在映射缓冲器中的并指示键流的索引当中的索引是否与NVM的块中的每一个相关的键矩阵。
-
公开(公告)号:CN115495389B
公开(公告)日:2024-03-22
申请号:CN202210669860.9
申请日:2022-06-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F12/02
Abstract: 提供了存储控制器、计算存储装置以及计算存储装置的操作方法。所述计算存储装置包括:非易失性存储器(NVM)装置;以及存储控制器,被配置为控制NVM装置。存储控制器包括:计算处理器,被配置为:执行内部应用以生成内部命令;主机接口电路,被配置为:从外部主机装置接收主机命令,从计算处理器接收内部命令,并且单独地处理接收的主机命令和接收的内部命令;闪存转换层(FTL),被配置为:基于主机接口电路的处理的结果,执行地址映射操作;以及存储器接口电路,被配置为:基于FTL的地址映射操作,控制NVM装置。
-
公开(公告)号:CN113032289A
公开(公告)日:2021-06-25
申请号:CN202011535103.X
申请日:2020-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及基于键值存储数据的存储设备及其操作方法、存储系统、主机的操作方法。存储设备通过从数据中提取多个键和分别对应于所述多个键的多个值来生成并存储键流和值流。所述存储设备包括控制器和非易失性存储器。所述控制器从主机接收关于所述键流中包括的无效键的信息以及压缩命令,并且响应于所述压缩命令对所述键流执行压缩操作。所述非易失性存储器存储所述键流和所述值流。所述控制器在所述压缩操作中基于关于所述无效键的信息将所述键流与其他键流合并。
-
公开(公告)号:CN112988057A
公开(公告)日:2021-06-18
申请号:CN202011318344.9
申请日:2020-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 提供了存储装置、存储系统及其操作方法,其中,所述存储装置将多个键和分别与所述多个键对应的多个值分开,并管理所述多个键和分别与所述多个键对应的所述多个值,并且包括:第一控制器,处理第一键和与第一键对应的第一值;第二控制器,处理第二键和与第二键对应的第二值;和非易失性存储器,存储第一键、第二键、第一值以及第二值,其中,第一键包括关于与用于在第一值之后处理的第二值的处理核有关的第二控制器的信息。
-
-
-
-
-