公开(公告)号：CN111415956B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN201910846661.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵炳珠 ,  李德喜

IPC: H10B63/00

Abstract: 公开了可变电阻存储器装置及其制造方法。所述可变电阻存储器装置可以包括：多个存储器单元，均包括可变电阻图案和开关图案；多条导线，存储器单元连接到所述多条导线；底电极，将导线中的至少一条连接到可变电阻图案；以及间隔件图案，形成在底电极上以与可变电阻图案接触。间隔件图案包括掺杂有杂质的介电材料。

公开(公告)号：CN111415956A

公开(公告)日：2020-07-14

申请号：CN201910846661.9

申请日：2019-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵炳珠 ,  李德喜

IPC: H01L27/24

Abstract: 公开了可变电阻存储器装置及其制造方法。所述可变电阻存储器装置可以包括：多个存储器单元，均包括可变电阻图案和开关图案；多条导线，存储器单元连接到所述多条导线；底电极，将导线中的至少一条连接到可变电阻图案；以及间隔件图案，形成在底电极上以与可变电阻图案接触。间隔件图案包括掺杂有杂质的介电材料。