公开(公告)号：CN113138714A

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN202011456629.9

申请日：2020-12-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金荣德 ,  李平雨 ,  苏曼什·詹妮亚乌拉文卡塔

IPC: G06F3/06

Abstract: 提供了一种存储装置及其性能控制方法。所述装置包括PMU和可通信地连接到PMU的控制器。PMU确定所述装置的操作功率超过阈值，并且将信号发送给控制器以触发功率降低操作。控制器对一个或多个操作进行节流，直到操作功率低于阈值为止。一些实施例包括用于控制存储装置的性能的方法。所述方法包括通过PMU测量与存储装置相关联的功耗。所述方法包括通过PMU确定功耗是否大于阈值。作为响应，所述方法可包括设置性能节流。所述方法可包括通过PMU确定功耗是否小于阈值。作为响应，所述方法可包括释放性能节流。

公开(公告)号：CN116909947A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310383496.4

申请日：2023-04-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 丹尼尔·李·赫尔米克 ,  苏曼什·詹妮亚乌拉文卡塔

IPC: G06F12/1045 ,  G06F12/10

Abstract: 一种用于地址转换的方法和持久性存储装置被提供。在一些实施例中，所述方法包括：通过持久性存储装置接收第一地址转换高速缓存条目；通过持久性存储装置接收输入‑输出命令；以及通过持久性存储装置执行输入‑输出命令，执行输入‑输出命令的步骤包括：对基于输入‑输出命令并且基于第一地址转换高速缓存条目计算的地址处的存储器位置执行直接存储器访问。