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公开(公告)号：CN115568221A
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN202210769065.7
申请日：2022-06-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B41/35 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括：浮置栅极，设置在基底上；存储器栅极，设置在浮置栅极上；第一间隔件，设置在浮置栅极和存储器栅极的侧壁以及基底的上表面上；第二间隔件，设置在第一间隔件上；选择高k膜，设置在第一间隔件的位于基底与第二间隔件之间的侧壁的第一部分上；以及选择栅极，设置在第一间隔件的位于基底与第二间隔件之间的侧壁的第二部分上。第一间隔件的一部分的宽度随着到基底的距离减小而减小，并且第一间隔件的所述一部分设置在基底与第二间隔件之间。
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