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公开(公告)号：CN116936474A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310323742.7
申请日：2023-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L23/552
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在衬底中形成多个第一沟槽。形成多个第一填充层，多个第一填充层填充第一沟槽并具有延伸以从衬底突出的突出部。在第一填充层的突出部的侧壁上形成间隔物。间隔物暴露衬底的在相邻的第一填充层之间的部分。通过蚀刻衬底的由间隔物暴露的部分，在第一沟槽周围形成多个第二沟槽。形成填充第二沟槽的多个第二填充层。去除所有的第一填充层和间隔物。形成共形地覆盖第一沟槽的内壁的栅材料层。通过分离栅材料层在每个第一沟槽中形成一对栅结构。
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