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发明公开
三维半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN112018120A

公开(公告)日：2020-12-01

申请号：CN202010465503.1

申请日：2020-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 , 金容锡 , 金森宏治 , 申旼翰

IPC: H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582

Abstract: 提供了三维半导体存储器件。一种三维半导体存储器件包括堆叠结构，该堆叠结构包括在衬底上的栅电极。该三维半导体存储器件包括穿透堆叠结构并沿第一方向以Z字形形状顺序布置的第一垂直结构、第二垂直结构、第三垂直结构和第四垂直结构。此外，该三维半导体存储器件包括在第一方向上延伸的第一位线。第一位线垂直地重叠第二垂直结构和第四垂直结构。第二垂直结构的中心和第四垂直结构的中心以相同的距离与第一位线间隔开。第一垂直结构以第一距离与第一位线间隔开。第三垂直结构以第二距离与第一位线间隔开。

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