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发明公开
半导体装置审中-公开

公开(公告)号：CN118368890A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410048028.6

申请日：2024-01-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林义郞 , 李珍秀 , 姜政佑 , 崔俊洛 , 洪睿珍

IPC: H10B12/00 , H01L23/64

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括导电图案和电连接到导电图案的电容器。电容器包括电连接到导电图案的第一电极结构、设置在第一电极结构上的介电层、设置在介电层上的第二电极结构和设置在第二电极结构上的板电极。第二电极结构包括包含第一金属元素和氮元素的第一电极材料层以及包含第二金属元素、第14族元素和氧元素的第一保护材料层。

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