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公开(公告)号：CN112510045A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN202010639913.3
申请日：2020-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L23/528 , H01L21/8242
Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：基底，具有芯片区域和划道区域，划道区域具有在第一方向上延伸的第一边缘和在第二方向上延伸的第二边缘；第一绝缘夹层结构，位于划道区域上并且包括低k介电材料；第一导电结构，位于划道区域的与一个第一边缘相邻的部分上，并且均在竖直方向上延伸穿过第一绝缘夹层结构且在第一方向上延伸；第二绝缘夹层，位于第一绝缘夹层结构上并且包括其介电常数比第一绝缘夹层结构的介电常数大的材料；第一过孔，均在第一方向上延伸穿过第二绝缘夹层以接触一个第一导电结构；以及第一布线，公共地接触第一过孔的上表面。
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