公开(公告)号：CN110010603B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201811532040.5

申请日：2018-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河泰元 ,  金柱然 ,  李相旻 ,  洪文善 ,  洪世基

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；以及在衬底的有源区上的第一晶体管至第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管中的每个包括在衬底上的电介质层、在电介质层上的金属层以及在电介质层和金属层之间的阻挡层。第一晶体管和第二晶体管中的每个还包括在电介质层和阻挡层之间的功函数层。其中第三晶体管的阻挡层与第三晶体管的电介质层接触，以及其中第二晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压并且小于第三晶体管的阈值电压。

公开(公告)号：CN110010603A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811532040.5

申请日：2018-12-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河泰元 ,  金柱然 ,  李相旻 ,  洪文善 ,  洪世基

IPC: H01L27/088

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；以及在衬底的有源区上的第一晶体管至第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管中的每个包括在衬底上的电介质层、在电介质层上的金属层以及在电介质层和金属层之间的阻挡层。第一晶体管和第二晶体管中的每个还包括在电介质层和阻挡层之间的功函数层。其中第三晶体管的阻挡层与第三晶体管的电介质层接触，以及其中第二晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压并且小于第三晶体管的阈值电压。