公开(公告)号：CN119447066A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410669847.2

申请日：2024-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈揆河 ,  吴致成 ,  辛祐承

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00

Abstract: 根据一些实施方式，提供了一种半导体装置，包括：第一半导体芯片，其包括第一通孔件和电连接至第一通孔件的第一前焊盘；以及第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片下方，并且包括衬底、设置在衬底下方的电路层、电路层下方的第二前焊盘、设置在衬底上并且电连接至对应的第一前焊盘的后焊盘、穿透衬底并且电连接至第二前焊盘的第二通孔件、以及电连接第二通孔件和后焊盘的后重分布层，其中，后焊盘中的至少一个在水平方向上与第二通孔件中的对应的一个间隔开，并且在竖直方向上与第一通孔件中的对应的一个重叠。