公开(公告)号：CN1983430A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610064033.8

申请日：2006-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李俊 ,  梁元喆 ,  菅原隆夫 ,  金山裕典

IPC: G11B20/12 ,  G11B20/22 ,  G11B20/18

Abstract: 一种信息记录和再现设备，其在介质上记录信息和再现存储在介质上的信息，包括写补偿电路，其配置成对记录在介质上的信息执行补偿，其中，通过沿着时间轴校正脉冲形式的写信号，所述写补偿电路预先校正从介质读取的信号的不对称性，且沿着时间轴的适量来校正量是基于包含在写信号中的信息的。

公开(公告)号：CN1870139A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610087884.4

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁元喆

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/0016

Abstract: 本发明提供控制例如包含在硬盘驱动器HDD的头中的磁阻(MR)传感器的畴特性的方法、介质、和装置。该方法可包括将头保持在非飞行状态，通过驱动安装在头中的加热器施加适于使MR传感器退磁的温度，以及冷却MR传感器同时施加用于磁化MR传感器的磁场。因此，利用安装在头中的加热器通过获得适于对MR传感器退火的温度在完全装配的HDD中进行退火。

公开(公告)号：CN1870139B

公开(公告)日：2010-04-21

申请号：CN200610087884.4

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁元喆

IPC: G11B5/39

CPC classification number: G11B5/012 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/40 ,  G11B2005/0008 ,  G11B2005/0016

Abstract: 本发明提供控制例如包含在硬盘驱动器HDD的头中的磁阻(MR)传感器的畴特性的方法、介质、和装置。该方法可包括将头保持在非飞行状态，通过驱动安装在头中的加热器施加适于使MR传感器退磁的温度，以及冷却MR传感器同时施加用于磁化MR传感器的磁场。因此，利用安装在头中的加热器通过获得适于对MR传感器退火的温度在完全装配的HDD中进行退火。