公开(公告)号：CN1815769A

公开(公告)日：2006-08-09

申请号：CN200510022966.6

申请日：2005-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄淳元 ,  金泰完 ,  郑硕才 ,  柳龙桓 ,  郑智元

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  G11C11/16 ,  G11C11/15

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明提供使用TiN作为盖帽层的磁致电阻器件以及制造该磁致电阻器件的方法。该磁致电阻器件通过更简化的制造工艺被制造，且该磁致电阻器件具有更改进的稳定性和可靠性。